教員・研究室

Home > 教員・研究室 > 丸山研究室

丸山研究室

丸山　隆浩(Maruyama Takahiro)

居室：天白キャンパス　4号館304－2号室
内線：5243
外線：052-838-2386
ファックス：052-832-1172
オフィスアワー：月曜日　木曜日　17:30～19:00（可能な限り、事前にメールでアポイントをとってください。）

学位 博士（理学）京都大学
職名 教授
専門分野 結晶成長・表面物性
研究テーマ ナノ結晶の作製（半導体・カーボンナノチューブの結晶成長）
所属学会 日本結晶成長学会、応用物理学会、日本物理学会、MRS
主な研究業績
  • 半導体ナノ結晶の作製（ “Fabrication of GaN dot structures by droplet epitaxy using NH3”, J. Cryst. Growth　301-302(2007)486-489. ）
  • 分子線結晶成長（ＭＢＥ）の結晶成長メカニズムの研究（“Formation mechanism of rotational twins in beam-induced lateral epitaxy on (111)B GaAs substrate”, J. Crystal Growth 301-302 (2007) 42-46.）
  • 高真空下でのカーボンナノチューブ成長（ “Synthesis and characterization of carbon nanotube grown by alcohol gas source in high vacuum”, Diam. Relat. Mater., 17, 589-593 (2008).)
  • カーボンナノチューブ結晶成長メカニズムの研究（ “Scanning-tunneling-microscopy of the formation of carbon nanocaps on SiC(000-1)”, Chem. Phys. Lett. 423 (2006)317-320.）
  • 希土類ドープGaNの研究（ “Red Emission from Eu-Doped GaN Studied by Photoluminescence and Photo-Calorimetric Spectroscopy”, Jpn. J. Appl. Phys. 38 (1999) L1306-1308. ）
  • Ⅱ－Ⅵ族化合物半導体の欠陥評価（“Compensation centers in ZnSeTe”, J. Appl. Phys. 86 (1999) 5993-5999. ）
研究室メンバー 成塚先生、博士課程１名、修士課程１１名、４年生１７名
学生の皆さんへ 不透明な時代にこそ、大学時代を有意義に過ごし、真の実力を身につけましょう！実力アップは成塚・丸山研から！！！
モットー 学びて思わざれば則ち罔し、思いて学ばざれば則ち殆し
個人の
ホームページ		 クリックしてください